Память оперативная/ Samsung DDR5 96GB RDIMM 5600

363175 Р
M321RYGA0PB0-CWMXH
В наличии
+
Отложить

Память оперативная Samsung DDR5 96GB RDIMM 5600 (M321RYGA0PB0-CWMXH)

Предназначена для серверных систем и высокопроизводительных рабочих станций, где критичны стабильность, большой объем памяти и поддержка коррекции ошибок (ECC).

Основные технические характеристики

Наименование характеристики Значение Комментарий
Тип памяти DDR5 RDIMM Регистровая память с буферизацией адреса и команд, поддерживает ECC.
Объем одного модуля 96 ГБ Большой объем для задач виртуализации, работы с СУБД, анализа данных.
Эффективная частота 5600 МГц Скорость передачи данных (PC5-44800).
Латентность (тайминги) 40-40-40 Базовая задержка CAS-RCD-RP (может варьироваться в зависимости от конфигурации системы).
Напряжение питания 1.1 В Стандартное напряжение для DDR5.
Форм-фактор 288-pin DIMM Стандартный форм-фактор для серверной памяти.
Код производителя M321RYGA0PB0-CWMXH Уникальный партномер для идентификации и заказа.
Ранжированность Dual Rank Повышает пропускную способность за счет параллельного доступа к группам чипов.
Буферизация Registered (RDIMM) Снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, повышая стабильность и максимальный поддерживаемый объем.

Преимущества технологии и особенности модели

  • Регистровая буферизация (RDIMM): Повышает целостность сигнала и стабильность работы в многоканальных конфигурациях с большим количеством модулей, что критично для серверов.
  • Коррекция ошибок (ECC): Обнаруживает и исправляет одно- и двухбитные ошибки, предотвращая сбои и потерю данных в ответственных системах.
  • Высокая пропускная способность DDR5: Частота 5600 МТ/с обеспечивает значительный прирост скорости обмена данными по сравнению с предыдущими поколениями памяти.
  • Большой объем модуля (96 ГБ): Позволяет наращивать общий объем памяти системы, минимизируя занятость слотов, что важно для масштабируемости.
  • Dual Rank архитектура: Оптимизирует загрузку канала памяти, что может повысить общую производительность подсистемы памяти.

Конструкция модуля и пониженное напряжение питания 1.1 В соответствуют современным требованиям к энергоэффективности дата-центров.

Рекомендации по использованию

Проверка совместимости: Данные модули требуют поддержки со стороны материнской платы и процессора (например, платформы на базе Intel Xeon Scalable или AMD EPYC). Необходимо убедиться в поддержке спецификации DDR5 RDIMM перед интеграцией.

Конфигурация каналов: Для достижения максимальной производительности рекомендуется устанавливать модули парами или в количестве, кратном числу каналов памяти процессора, строго следуя порядку слотов, указанному в руководстве к системной плате.

Однородность подсистемы памяти: Во избежание снижения рабочей частоты и возникновения нестабильности, не рекомендуется устанавливать в одном канале памяти модули с разным объемом, таймингами или от разных производителей.